小容量相变存储器芯片版图设计与验证分析

作     者：王倩 陈后鹏 张怡云 金荣 许伟义 蔡道林 宋志棠 WANG Qian;CHEN Houpeng;ZHANG Yiyun;JIN Rong;XU Weiyi;CAI Daolin;SONG Zhitang

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海市存储器纳米制造技术重点实验室上海200050 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2010CB934300 2013CBA01900 2011CBA00607 2011CB932804) 国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003) 国家自然科学基金项目(61076121 61176122 61106001 61376006 61261160500) 上海市科委资助项目(11DZ2261000 12nm0503701 12QA1403900 13ZR1447200 13DZ2295700) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2015年第45卷第1期

页      码：76-80页

摘      要：设计了基于1T1R结构的16kb相变存储器(PCRAM)芯片及其版图。芯片包括存储阵列、外围读写控制电路、纠错电路(ECC)、静电防护电路(ESD)。版图上对纳米存储单元(1R)与CMOS工艺的融合作了优化处理,给出了提高存储单元操作电流热效率的具体方法。1R位于顶层金属(TM)和二层金属(TM-1)之间,包含存储材料以及上下电极,需要在传统CMOS工艺基础上添加掩膜版。读出放大器采用全对称的差分拓扑结构,大大提升了抗干扰能力、灵敏精度以及读出速度。针对模块布局、电源分配、二级效应等问题,给出了版图解决方案。采用中芯国际130nm CMOS工艺流片,测试结果显示芯片成品率(bit yield)可达99.7%。

主 题 词：相变存储器 1T1R 版图设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2015.01.018

馆 藏 号：203941402...