0.1~6.0 GHz pHEMT达林顿放大器

作     者：焦芳 陈金远 JIAO Fang;CHEN Jinyuan

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2020年第40卷第3期

页      码：169-172页

摘      要：采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负反馈,并采用了有源偏置。在0.1~6.0 GHz范围内,小信号增益大于23dB,平坦度小于±1 dB,驻波小于2,噪声系数小于1.5 dB,输出1 dB压缩点大于21 dBm,输出三阶交调截断点大于34 dBm@1.8 GHz。所设计的共源共栅达林顿放大器具有较好的带宽和一致性等优点,适用于4G、5G通信系统以及雷达收发组件等。

主 题 词：达林顿放大器 共源共栅 增强型pHEMT 宽带 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.03.003

馆 藏 号：203943347...