K波段自偏置微带环行器设计、制作及性能研究

作     者：吴燕辉 王檠 赖金明 

作者机构：中国电子科技集团公司第九研究所四川绵阳621000 

出 版 物：《通讯世界》 (Telecom World)

年 卷 期：2020年第27卷第6期

页      码：31-32页

摘      要：采用固相烧结法制备了高取向度为84%、铁磁共振线宽为350 Oe的高性能的自偏置BaM铁氧体基片。基于全波分析的有限元三维电磁计算方法设计了中心频率为25 GHz的微带自偏置环行器并实现了器件的制作,器件尺寸为5 mm×5 mm×0.4 mm。电磁计算结果表明,在24.75~25.25 GHz范围内,器件的插入损耗最大达到2.6 dB,回波损耗最小达到20 dB,隔离度最小达到25 dB,获得了500 MHz的带宽。对应的器件实测结果在24.8~25.2 GHz范围内,插入损耗最大达到4.5 dB,回波损耗最小达到18 dB,隔离度最小达到20 d B,获得了400 MHz的带宽。器件的实测结果和计算结果较好,该器件性能达到国内先进水平,为后续自偏置器件的实用化奠定了良好的基础。

主 题 词：自偏置环行器 K波段 BaM铁氧体 小型化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203943509...