DOE方法在ESD及LU测试故障定位方面的应用研究

作     者：鹿祥宾 陈燕宁 张海峰 原义栋 钟明琛 张志刚 LU Xiangbin;CHEN Yanning;ZHANG Haifeng;YUAN Yidong;ZHONG Mingchen;ZHANG Zhigang

作者机构：北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(U1866212) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2020年第40卷第3期

页      码：226-232页

摘      要：介绍了一种通过因果图及DOE(试验设计)对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建立可能造成失效的各个层级的影响因子;通过两个层次DOE设计,以最少的测试次数筛选出最关键的影响因子。最终发现I-V曲线测量时电压设定过大以及I-V曲线测量达到一定次数是触发本次失效问题产生的根本原因。该分析方法可以作为ESD及LU测试中失效分析的有力补充。

主 题 词：静电放电 闩锁效应 I-V曲线测试 因果图 试验设计 失效分析 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0835[0835] 0702[理学-物理学类] 081202[081202] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.03.013

馆 藏 号：203943820...