用于高功率电磁脉冲防护的SiC-TVS器件设计研制

作     者：张耀辉 李跃波 韩超 谢彦召 杨杰 熊久良 ZHANG Yaohui;LI Yuebo;HAN Chao;XIE Yanzhao;YANG Jie;XIONG Jiuliang

作者机构：西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 军事科学院国防工程研究院洛阳471023 西安电子科技大学微电子学院西安710071 

基　　金：国家自然科学基金(51677148) 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2020年第46卷第6期

页      码：2114-2121页

摘      要：高功率电磁脉冲可在电子信息设备电缆上耦合产生浪涌骚扰,瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor,TVS)是抑制浪涌骚扰的重要防护器件。现有TVS器件多为Si基材料,受限于材料特性,在响应速度和通流能力上存在不足。因此,选择Si C材料设计新型Si C-TVS器件,新型器件采用NPN结构,通过动态响应仿真确定了基本参数,对器件在高功率电磁脉冲下的热失效进行了仿真研究。采用深度刻蚀槽工艺加工了该批器件,选取结面积和工作电压相近的Si-TVS进行对比测试;测试结果表明:新研制的Si C-TVS器件在快前沿脉冲下的响应速度显著优于Si-TVS;在10/1000μs浪涌脉冲注入下,Si C-TVS的通流能力为Si-TVS的6倍。

主 题 词：高功率电磁脉冲 浪涌骚扰 Si C-TVS器件 响应速度 通流能力 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.13336/j.1003-6520.hve.20200615032

馆 藏 号：203944448...