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基于MOSFET串联的半桥LLC谐振电路设计

基于MOSFET串联的半桥LLC谐振电路设计

作     者:李凯 罗续业 李彦 LI Kai;LUO Xu-ye;LI Yan

作者机构:国家海洋技术中心天津300112 

基  金:海洋公益性行业科研专项(201505015) 

出 版 物:《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期:2020年第54卷第6期

页      码:21-25页

摘      要:LLC谐振变换器基于软开关技术,具有开关损耗低、功率密度大、电压输入范围宽等优点。但在设计高电压直流输入的LLC谐振变换器时,受限于半导体工艺技术,开关管的最高工作电压无法满足电路要求。针对此问题,提出使用多个开关管串联来实现高压应用的目的。首先分析金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作特性,然后采用软开关技术和LLC谐振技术,设计基于4个MOSFET串联的半桥LLC谐振电路,最后搭建一台直流输入300 V、直流输出40 V、功率100 W的测试样机,以验证电路的可行性。

主 题 词:谐振变换器 软开关 金属氧化物半导体场效应晶体管 

学科分类:080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

馆 藏 号:203944482...

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