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TVS对移动电话辐射杂散的影响研究

TVS对移动电话辐射杂散的影响研究

作     者:符荣杰 李杰伟 雷康 张海峰 FU Rong-jie;LI Jie-wei;LEI Kang;ZHANG Hai-feng

作者机构:北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192 

出 版 物:《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期:2020年第54卷第6期

页      码:95-98页

摘      要:此处旨在研究瞬态电压抑制二极管(TVS)非线性特性对移动电话DCS1800频段辐射杂散二次谐波发射的影响。通过使用传导射频(RF)信号注入的方法,对带有TVS的扬声器电路进行验证,得到传导杂散二次谐波数值;利用电路板搭建测试电路进行TVS的U-I曲线的测量验证,得到TVS的U-I曲线。实测结果表明不同厂家TVS所产生的杂散二次谐波的幅值大小不同,EPCOS要明显优于ST,低大约40 dB;不同厂家的TVS开启电压水平差异显著,EPCOS TVS开启电压高于25 V,ST TVS开启电压为16 V左右,EPCOS TVS要远高于ST TVS。TVS用于移动电话各功能模块的静电放电(ESD)防护时,尤其是天线附近区域时,可使用传导RF注入法和U-I曲线测量法进行验证评估,确保不影响辐射杂散谐波发射值。

主 题 词:瞬态电压抑制二极管 非线性 辐射杂散 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号:203945128...

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