基于吸波结构的THz谐振器及其传感特性

作     者：郭函 马文英 马长伟 唐雨竹 GUO Han;MA Wenying;MA Changwei;TANG Yuzhu

作者机构：成都信息工程大学通信工程学院四川成都610225 四川大学电子信息学院四川成都610065 

基　　金：四川省科技计划资助项目(2017JY0332) 四川省科技创新苗子工程资助项目(2017097) 成都信息工程大学科研基金项目(J201505)对本文的资助 

出 版 物：《成都信息工程大学学报》 (Journal of Chengdu University of Information Technology)

年 卷 期：2020年第35卷第2期

页      码：134-138页

摘      要：设计了一种基于吸波结构的THz谐振器。该结构单元由三开口金属谐振环、有损绝缘基板及连续金属膜组成,分别对FR4材料基板以及PI基板的THz谐振器进行仿真,分析了两种介质损耗不同的中间层基板对THz谐振器的吸收率及品质因数的影响。结果表明,选用较低介质损耗的PI材料作为中间层基板的THz谐振器,其欧姆损耗吸波效应更明显,吸波峰较选用较高介质损耗的材料作为中间层基板的THz谐振器有所频移,吸收率有所衰减,而Q值、灵敏度、FOM值更高。通过优化,在0.982 THz附近得到一个3 dB带宽约为6.88 GHz的吸波谱,相应的Q值为142.73,其吸收率为0.936。最后对THz谐振器的传感特性进行了测量,其折射率灵敏度为48.21 GHz/RIU,FOM值为7.01/RIU,具有较高的传感特性。

主 题 词：太赫兹 吸波结构 谐振器 传感特性 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.16836/j.cnki.jcuit.2020.02.002

馆 藏 号：203945601...