基于2．5 Gbit／s应用长波长雪崩光电二极管

作     者：曹均凯 王国栋 李小兵 李连城 张伟 CAO Jun-kai;WANG Guo-dong;LI Xiao-bing;LI Lian-cheng;ZHANG Wei

作者机构：深圳飞通光电子技术有限公司深圳518057 

出 版 物：《深圳大学学报（理工版）》 (Journal of Shenzhen University(Science and Engineering))

年 卷 期：2007年第24卷第1期

页      码：69-74页

摘      要：设计并制作一种基于2．5Gbit／s应用的分离吸收区和倍增区结构的InGaAs／InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD),该APD具有低击穿电压VBR(典型值为40 V)和低暗电流(反偏电压为0．9 VBR时典型值为1 nA)的显著特点,适合低工作电压的应用场合,如小型化的SFP和SFF光通信模块．组件测试结果表明,该APD具有高的饱和光功率和灵敏度,适用于2．5Gbit／s及以下光通信及测量系统中对1310 nm／1550 nm波长光的探测．

主 题 词：雪崩光电二极管 雪崩倍增 倍增因子 光电探测器 光纤通信 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-2618.2007.01.014

馆 藏 号：203947618...