具有电隔离、线“或“能力和改善噪声容限的I^2C接口

作     者：Michele Costantino 

作者机构：Microsaic Systems LtdWokingUnited Kingdom 

出 版 物：《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期：2007年第14卷第10期

页      码：128-128页

摘      要：本设计实例描述了一种简单而有效的方法为连接在I2C总线上的设备提供光隔离（图1）。这个电路改进了早期的版本。（参考文献1）。 SDA和SCL处在I^2C总线的主区域。SDA1和SCL1在从设备区域。可以很容易对时钟线路进行光隔离，因为它具有从主设备到从设备的单向性。Q3是P沟道MOSFET．它为快速光耦合器IC2的LED提供电流，缓冲时钟线路。

主 题 词：I^2C接口 噪声容限 电隔离 P沟道MOSFET 能力 I^2C总线 I2C总线 从设备 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

馆 藏 号：203947834...