p^+多晶Si_(1-x)Ge_x功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究

作     者：舒斌 张鹤鸣 王伟 宣荣喜 宋建军 任冬玲 吴铁峰 张永杰 SHU Bin;ZHANG He-ming;WANG Wei;XUAN Rong-xi;SONG Jian-jun;REN Dong-ling;WU Tie-feng;ZHANG Yong-jie

作者机构：西安电子科技大学微电子学院 

基　　金：武器装备预研基金项目资助(51408061104DZ01) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2008年第31卷第3期

页      码：795-799页

摘      要：为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1-xGex功函数W=0.85eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215V和VTn=0.205V。为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据。

主 题 词：异质结CMOS p^+多晶Si1-xGex栅 MEDICI模拟 功函数 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.014

馆 藏 号：203948018...