指数掺杂反射式GaAlAs和GaAs光电阴极比较研究

作     者：陈鑫龙 赵静 常本康 徐源 张益军 金睦淳 郝广辉 

作者机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61171042) 江苏省普通高校研究生科研创新计划(批准号:CXZZ12-0193)资助~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第3期

页      码：348-353页

摘      要：采用指数掺杂技术,通过金属有机化学气相沉积法外延生长了反射式GaAlAs和GaAs光电阴极,GaAlAs发射层的Al组分设计为0.63.在超高真空系统中分别对两种阴极进行激活实验,得到激活后的光谱响应曲线.利用指数掺杂反射式光电阴极量子效率公式对实验曲线进行拟合并分析了电子漂移扩散长度、后界面复合速率、表面电子逸出几率等性能参数对光电发射性能的影响.结果表明,与GaAs光电阴极相比,GaAlAs光电阴极的Al组分虽然在一定程度上不利于光电发射,但是解决了GaAs光电阴极由于响应波段宽而不能很好地用于窄波段可见光探测领域的问题,制备出只对蓝绿光响应的反射式GaAlAs光电阴极.

主 题 词：指数掺杂 反射式 光电阴极 量子效率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0704[理学-天文学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.62.037303

馆 藏 号：203950163...