LEC法生长高质量6英寸InP单晶

作     者：邵会民 孙聂枫 张晓丹 王书杰 刘惠生 孙同年 康永 Shao Huimin;Sun Niefeng;Zhang Xiaodan;Wang Shujie;Liu Huisheng;Sun Tongnian;Kang Yong

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国电子科技南湖研究院浙江嘉兴314051 专用集成电路重点实验室石家庄050051 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(51871202) 国家自然科学青年基金资助项目(51401186) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2020年第45卷第8期

页      码：617-622,651页

摘      要：制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场优化设计,调节各段加热器功率,降低了大尺寸热场温度梯度,提高了热场的对称性和稳定性,获得了平坦的固液界面,同时采用平缓放肩工艺抑制孪晶的形成。重复生长出约9.5 kg的6英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶,直径6英寸以上的单晶部分长度大于67 mm。测试结果表明,单晶片位错密度小于1×104 cm-2,电阻率大于107Ω·cm。从晶体生长和测试结果可以看出,合适的温度梯度可以使固液界面比较平坦,有效降低InP晶体的位错密度,电阻率片内均匀性为8.7%。

主 题 词：InP单晶 液封直拉(LEC)法 温度梯度 位错密度 平缓放肩工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.08.007

馆 藏 号：203954540...