MOPA结构1064 nm单模半导体激光器

作     者：刘刚明 宋爱民 陈猛 LIU Gangming;SONG Aimin;CHEN Meng

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 重庆教育学院重庆400067 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2011年第32卷第3期

页      码：325-327页

摘      要：1 064 nm单模半导体激光器在测试、通信、光纤激光器种子源等多种领域有着广泛的应用。设计并制作了一种MOPA结构1 064 nm单模半导体激光器。做为对比,同时制作了相同外延材料和腔长的脊波导单模半导体激光器。测试结果表明,该MOPA结构管芯发生灾变性光学损伤(COD)时的注入电流约740 mA,最高功率达到375 mW,无扭折最大输出功率为300 mW,此时注入电流约为610 mA,水平发散角为9.8°(FWHM),均优于作为对比的脊波导结构激光器。

主 题 词：半导体激光器 单模 MOPA 1064nm 种子源 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2011.03.007

馆 藏 号：203955369...