PSJ高压器件的优化设计

作     者：陈万军 张波 李肇基 邓小川 Chen Wanjun;Zhang Bo;Li Zhaoji;Deng Xiaochuan

作者机构：电子科技大学IC设计中心成都610054 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030) 国家自然科学基金(批准号:60576052) 国防预研基金(批准号:51408060904DZ0211)资助项目 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第6期

页      码：1089-1093页

摘      要：基于Semi SJ(superjunction)结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ(partialsuperjunction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottomassistlayer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相吻合,为设计与优化PSJ高压器件提供了理论依据.PSJ结构特别适于制造工艺水平不高、很难实现大的p型区深宽比的情况,为现有工艺实现高压低导通电阻器件提供了一种新的思路.

主 题 词：partial super junction RESURF 击穿电压 比导通电阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.028

馆 藏 号：203955370...