键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器

作     者：劳燕锋 曹春芳 吴惠桢 曹萌 刘成 谢正生 龚谦 Lao Yanfeng;Cao Chunfang;Wu Huizhen;Cao Meng;Liu Cheng;Xie Zhengsheng;Gong Qian

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2008年第29卷第11期

页      码：2286-2291页

摘      要：设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺,研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器,其阈值电流为13.5mA,单模激射波长为1288.6nm.

主 题 词：垂直腔面发射激光器 晶片直接键合 隧道结 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.038

馆 藏 号：203955370...