P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究

作     者：毕艳军 郭志友 于敏丽 BI Yan-jun;GUO Zhi-you;YU Min-li

作者机构：华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所广东广州510631 河北省邢台职业技术学院电气工程系河北邢台054000 

基　　金：广东省科技计划项目(No.0711020500090) 广州市科技攻关重大项目(No.2005Z1-D0071)课题资助 

出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)

年 卷 期：2008年第38卷第8期

页      码：784-785,795页

摘      要：介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。

主 题 词：自旋电子器件 子带间跃迁 GaMnAs/AlGaAs量子阱 红外探测器 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5078.2008.08.011

馆 藏 号：203956249...