Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究

作     者：李宗鉴 王俊 江希 何志志 彭子舜 余佳俊 LI Zongjian;WANG Jun;JIANG Xi;HE Zhizhi;PENG Zishun;YU Jiajun

作者机构：湖南大学电气与信息工程学院长沙410000 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51977064) 

出 版 物：《电源学报》 (Journal of Power Supply)

年 卷 期：2020年第18卷第4期

页      码：58-70页

摘      要：综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。

主 题 词：SiC MOSFET Si IGBT 混合器件 损耗模型 功率模块 

学科分类：080802[080802] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.58

馆 藏 号：203956313...