PMOSFET耗散功率的估算和验证

作     者：钱晓东 张翠云 QIAN Xiaodong;ZHANG Cuiyun

作者机构：安徽职业技术学院机电工程学院安徽合肥230011 

基　　金：精品在线开放课程(编号:azy2019mooc27) 

出 版 物：《科技创新与应用》 (Technology Innovation and Application)

年 卷 期：2020年第10卷第24期

页      码：23-24,28页

摘      要：介绍了一种PMOSFET耗散功率的理论估算方法,采用前级推挽式逆变器为实验平台,完成热阻实验验证。结果表明,该估算方法与实际测试结果接近,为设计散热片提供了理论依据,加快了产品开发进度,具有较好的实际应用价值。

主 题 词：PMOSFET 耗散功率 推挽 热阻 散热片 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

馆 藏 号：203956330...