一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

作     者：刘喆 唐喆 崔得良 徐现刚 

作者机构：山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 2 5 40 9)资助项目 

出 版 物：《物理》 (Physics)

年 卷 期：2002年第31卷第5期

页      码：306-309页

摘      要：异质结晶体三极管 (HBT)的性能与其材料体系密不可分 ,利用能带工程可以大大优化器件的结构 ,提高器件性能 .文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手 ,介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能 ,分析了该器件与其他材料体系器件相比所具有的优异特性 ,说明了对HBT的各区材料 ,其带边的相对位置所起的重要作用 .最后 ,文章还报道了近期的实验情况 ,说明了GaAsSb

主 题 词：能带工程 异质结双极晶体三极管 GaAsSb/InP HBT 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3321/j.issn:0379-4148.2002.05.010

馆 藏 号：203957469...