短暂性脑缺血发作患者事件相关电位的变化(英文)

作     者：宋永斌 徐江涛 郝舒亮 张富洪 焦岩 

作者机构：解放军兰州军区乌鲁木齐总医院神经内科新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市830000 

出 版 物：《中国临床康复》 (Chinese Journal of Clinical Rehabilitation)

年 卷 期：2004年第8卷第28期

页      码：6208-6209页

摘      要：背景:短暂性脑缺血发作(transientischemiaattack,TIA)是临床常见的脑血管病之一,采用客观评测方法对其高级神经活动认知功能损害进行评估。目的:研究TIA患者的事件相关电位(P300)的变化,探讨TIA患者的认知损害及可能的机制。设计:以诊断为依据,病例对照研究。地点和对象:在兰州军区乌鲁木齐总医院神经内科门诊及住院诊治的TIA患者31例(TIA组),其中颈内动脉系统9例,椎基底动脉系统22例对照组均为来院体检的健康人30例。干预:对TIA患者及正常对照组进行简易精神状态检查法(MMSE)、听觉oddball刺激序列P300检测及神经系统查体。主要观察指标:MMSE评定分值,P3波潜伏期及P3波幅测定。结果:TIA组的MMSE评分犤(27.13±2.54)分犦,与对照组犤(29.02±1.35)分犦比较,差异有显著性意义(t=2.213,P<0.05)。P3波潜伏期TIA组犤(348.21±20.33)ms犦与对照组犤(330.32±30.12)ms犦比较,差异有显著性意义(t=2.732,P<0.01);椎基底动脉系统TIA比颈内动脉系统TIA的P3波潜伏期延长犤(350.32±31.21)ms,(339.32±27.88)ms犦,差异有显著性意义(t=2.479,P<0.05);TIA患者的P3波潜伏期延长与TIA患者的发作次数呈正相关(r=0.383,P<0.01),与MMSE评分呈负相关(r=-0.259,P<0.05)。结论:TIA患者的P3波潜伏期显著延长。

主 题 词：TIA 患者 波潜伏期 对照组 短暂性脑缺血发作 事件相关电位 颈内动脉系统 显著性 结论 分值 

学科分类：0710[理学-生物科学类] 0831[工学-公安技术类] 1002[医学-临床医学类] 100204[100204] 100205[100205] 10[医学] 

D　O　I：10.3321/j.issn:1673-8225.2004.28.037

馆 藏 号：203957564...