SDB／MCT新型功率器件的研究

作     者：唐国洪 陈德英 周健 

作者机构：南京东南大学电子工程系江苏雷声电子设备厂 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：1995年第12卷第2期

页      码：54-55页

摘      要：本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ２的阳极电流。

主 题 词：功率器件 硅片直接键合 MCT 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.1995.02.019

馆 藏 号：203962514...