次表面横向PNP管制作及辐射效应研究

作     者：赵杰 王清波 孙有民 温富刚 ZHAO Jie;WANG Qingbo;SUN Youmin;WEN Fugang

作者机构：西安微电子技术研究所西安710065 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2020年第50卷第4期

页      码：593-596页

摘      要：依据总剂量辐射对横向PNP(LPNP)管的损伤机理,设计了一种辐射加固的次表面LPNP管。开发了通过高能离子注入工艺实现LPNP管的工艺方法,该工艺与常规双极工艺兼容。总剂量辐射试验结果表明,采用次表面LPNP管制作的LW5101线性稳压器的抗辐射能力显著提高。

主 题 词：横向PNP管 抗辐射 高能离子注入 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200186

馆 藏 号：203964161...