微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计

作     者：罗俊 郝跃 秦国林 谭开洲 王健安 胡刚毅 许斌 刘凡 黄晓宗 唐昭焕 刘勇 LUO Jun;HAO Yue;QIN Guolin;TAN Kaizhou;WANG Jian'an;HU Gangyi;XU Bin;LIU Fan;HUANG Xiaozong;TANG Zhaohuan;LIU Yong

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 西安电子科技大学微电子学院西安710071 模拟集成电路重点实验室重庆400060 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2012年第42卷第2期

页      码：255-260页

摘      要：介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计水平起到积极的作用。

主 题 词：微纳米CMOS 超大规模集成电路 可靠性建模 可靠性仿真 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2012.02.027

馆 藏 号：203965149...