衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

作     者：王何美 朱华 冯晓炜 况慧芸 王艳香 WANG He-mei;ZHU Hua;FENG Xiao-wei;KUANG Hui-yun;WANG Yan-xiang

作者机构：景德镇陶瓷学院机电学院景德镇333001 景德镇陶瓷学院科技艺术学院景德镇333001 景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院景德镇333001 

基　　金：国家自然科学基金(51102122) 江西省自然科学基金(20142BAB206008) 江西省教育厅科技项目(GJJ14646) 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2015年第44卷第5期

页      码：1266-1270,1299页

摘      要：采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征。结果表明：ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向。所有薄膜样品在420~900 nm区间内的平均透光率大于91%。随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大。衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移。

主 题 词：ZnO∶B薄膜 磁控溅射 光电特性 

学科分类：0817[工学-轻工类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.05.021

馆 藏 号：203966647...