一种0.15μm GaAs pHEMT高效率功率放大器

作     者：毛小庆 何勇畅 陈志巍 喻青 高海军 MAO Xiaoqing;HE Yongchang;CHEN Zhiwei;YU Qing;GAO Haijun

作者机构：杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(61871161) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2020年第50卷第4期

页      码：499-502,508页

摘      要：基于0.15μm GaAs(D-Mode)pHEMT工艺,采用多c式,设计了一种中心频率为2.4 GHz的高效率功率放大器。采用两级级联放大结构,驱动级采用共源结构,提高了输出功率和线性度。功率级采用自偏置技术共源共栅结构,增益和效率得到提升。工作模式分别为A类和AB类。版图面积为1.45 mm^2。仿真结果表明,在驱动级电路工作于5 V、功率级电路工作于10 V、频率为2.4 GHz的条件下,1 dB压缩点功率为31.99 dBm,最大输出功率为32.01 dBm,小信号增益为30.51 dB,功率附加效率为40.74%。输入功率为1.48 dBm时,在1.94~2.82 GHz频带内,输出功率为30.29~32.07 dBm,功率附加效率为30%~41.9%,小信号增益峰值为31.97 dB,3 dB带宽为880 MHz。

主 题 词：功率放大器 最大输出功率 自偏置技术 增益峰值 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.190533

馆 藏 号：203966674...