多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究

作     者：阚玲 刘建 KAN Ling;LIU Jian

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 重庆中科渝芯有限公司重庆401332 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2020年第50卷第4期

页      码：589-592页

摘      要：针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因。该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考。

主 题 词：多晶硅发射极晶体管 电流增益 界面氧化层 自然氧化层 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200035

馆 藏 号：203966889...