β——SiC晶须的合成及生长机理

作     者：马峻峰 

作者机构：山东工业陶瓷研究设计院 

出 版 物：《纤维复合材料》 (Fiber Composites)

年 卷 期：1992年第9卷第1期

页      码：19-22页

摘      要：以高岭土、超细碳粉为原料,采用碳热还原方法合成出性能良好的β—SiC晶须,并研究了碳粉加入量、烧成温度对β—SiC晶须产率的影响。结果表明,烧成温度1500～1600℃,碳粉加入量4～10％(wt)为较好的晶须合成条件。该方法制备β—SiC晶须的生长机理为“VS”机理。

主 题 词：β-SiC 晶须 碳化硅 合成 碳纤维 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203967458...