具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管

作     者：王艺澄 靳晓诗 WANG Yicheng;JIN Xiaoshi

作者机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院沈阳110870 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：2020年第41卷第4期

页      码：5-9页

摘      要：基于带带隧穿原理,提出一种具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管。不同于传统隧穿晶体管的PIN结构,新结构具有双向导通性,源漏区可互换,对反向泄漏电流有更好的抑制效果,同时具有低功耗和低亚阈值摆幅的优点。其对称的结构能更好兼容CMOS工艺,设计灵活性更好。通过Silvaco TCAD软件对器件3D结构进行I-V特性仿真,分析各器件参数改变对器件开关电流比(IonIoff)、亚阈值摆幅(SS)、反向泄漏电流和正向导通电流等电学特性的影响,从而改善器件特性,优化器件结构。

主 题 词：隧穿场效应晶体管 带带隧穿 双向开关特性 低亚阈值摆幅 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-2279.2020.04.002

馆 藏 号：203967750...