20MHz^520MHz宽带功率放大器的研制

作     者：李贺 梁坤 刘敏 何颖 张晖 Li He;Liang Kun;Liu Min;He Ying;Zhang Hui

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 

出 版 物：《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期：2020年第46卷第8期

页      码：1-4,8页

摘      要：新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料,具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性,在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联,匹配电路为集中元件和分布元件混合,采用负反馈技术提高带宽,RC并联网络提高稳定性,设计了一款20 MHz^520 MHz的宽带功放。利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试,在20 MHz^520 MHz频段内,功放模块饱和输出功率大于9 W,增益大于29.5 dB,漏极效率高于40%,带内平坦度为±0.7 dB。

主 题 词：GaN 宽带功放 负反馈 饱和输出功率 增益 漏极效率 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16157/j.issn.0258-7998.200264

馆 藏 号：203968242...