适用于变流装置电路仿真的IGBT分段瞬态模型

作     者：朱庆祥 罗毅飞 刘宾礼 肖飞 ZHU Qingxiang;LUO Yifei;LIU Binli;XIAO Fei

作者机构：海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室武汉430033 

基　　金：国家自然科学基金重大项目(51490681) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB251004) 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2020年第46卷第8期

页      码：2806-2814页

摘      要：绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)瞬态模型对电力电子系统的分析与设计具有重要意义。目前,考虑精度与仿真效率,物理模型与现有行为模型均难以满足复杂电路的仿真要求。针对这一问题,基于IGBT开通、关断瞬态的物理机理,对其开关过程进行分段表征,提出了一种可适用于复杂电路仿真,且能反映不同电压、电流、温度下IGBT开关瞬态特性的分段模型,并在Simulink软件实现了对复杂电路的仿真。最后,通过与物理模型以及实验数据的对比,对所建立模型的有效性进行了验证。结果表明,所提出的模型可以在不同电压、电流、温度等工况下实现IGBT开关瞬态特性的准确表征,且能用于如逆变拓扑等复杂电路的仿真,模型的仿真效率和仿真精度较好。该模型能够为器件的多时间尺度建模和仿真提供重要支撑。

主 题 词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 开关瞬态 行为模型 电路仿真 分段模型 变流装置 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.13336/j.1003-6520.hve.20190755

馆 藏 号：203968277...