亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响

作     者：周琪钧 田冕 刘超 陈万军 ZHOU Qijun;TIAN Mian;LIU Chao;CHEN Wanjun

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 陆军装备部驻重庆地区军事代表局驻成都地区第二军事代表室成都610054 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2020年第20卷第8期

页      码：47-51页

摘      要：针对MOS栅控晶闸管(MCT)在电容储能型脉冲功率系统中,面临高电压变化率(dV/dt)而导致的误开启现象,首次通过实验和仿真研究了亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响,分析了亚阈电流对器件dV/dt抗性的影响机制。研究结果表明,亚阈电流的参与是引起器件dV/dt抗性降低的重要原因,这为提高器件dV/dt抗性设计提供了理论指导。

主 题 词：脉冲功率系统 MOS栅控晶闸管 dV/dt 亚阈电流 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0808

馆 藏 号：203968331...