基于InP DHBT工艺的DC^45 GHz 1∶8低相噪静态分频器

作     者：张敏 孟桥 张有涛 张翼 程伟 李晓鹏 ZHANG Min;MENG Qiao;ZHANG Youtao;ZHANG Yi;CHENG Wei;LI Xiaopeng

作者机构：东南大学射频光电集成电路研究所南京210096 南京国博电子有限公司南京211153 南京电子器件研究所南京210016 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京211153 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61804081) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2020年第40卷第4期

页      码：247-251页

摘      要：采用0.7μm InP DHBT工艺设计并实现了一款超宽带1∶8静态分频器芯片,内部分频采用电流模式逻辑结构实现,针对InP DHBT器件的高频特点对内部各电路进行了合理优化,实现了整个工作带宽内的宽输入功率范围和高输出信号平坦度。测试结果显示,正弦波输入时芯片可工作在0.2~45.0 GHz超宽带范围内,输入功率覆盖-10^+7 dBm,输出功率大于3.9 dBm,38 GHz输入时相位噪声优于-140 dBc/Hz,总功耗0.29 W。

主 题 词：静态分频器 磷化铟 超宽带 低相噪 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.04.003

馆 藏 号：203968338...