基于TCAD的氧化工艺参数影响分析

作     者：张照锋 董海青 

作者机构：南京信息职业技术学院江苏南京210023 

基　　金：南京信息职业技术学院开放基金支持《高速CMOS sigma-delta ADC集成电路研究与设计》 项目编号KF20160101 

出 版 物：《中国新技术新产品》 (New Technology & New Products of China)

年 卷 期：2020年第11期

页      码：9-10页

摘      要：随着集成电路工艺的不断发展,特征尺寸越来越小,工艺对器件参数的影响越来越明显。该文通过TCAD工具模拟集成电路氧化工艺的过程,然后分别改变氧化的工艺参数,分析氧化工艺参数对氧化结果的影响,进而在器件设计过程中合理地进行工艺优化。

主 题 词：工艺 器件 仿真 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.13612/j.cnki.cntp.2020.11.005

馆 藏 号：203968345...