基于电荷控制模型的通用忆阻器仿真器

作     者：赵国凯 游彬 ZHAO Guokai;YOU Bin

作者机构：杭州电子科技大学电子信息学院浙江杭州310018 

基　　金：国家自然科学基金(61671195) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2020年第39卷第8期

页      码：59-63页

摘      要：针对忆阻器尚未商业化的现状,为了给忆阻器的相关研究提供一种可替代的仿真器,在HP模型的基础上推导出一种简单通用的电荷控制模型,设计并实现了一款基于模拟器件的荷控仿真器。利用软件PSPICE对仿真器的伏安特性进行了仿真分析和优化,同时采用印刷线路板技术加工制作了仿真器实物电路。仿真和测试结果表明,在正弦信号激励下忆阻器仿真器展现出典型的非线性磁滞回线特性,且该荷控忆阻器仿真电路结构简单,易于加工,在实际电路的应用方面具有一定的参考价值。

主 题 词：忆阻器 电荷控制模型 仿真器 电压电流特性 滞回曲线 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0109

馆 藏 号：203968360...