一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET

作     者：刘岳巍 杨瑞霞 张志国 王永维 邓小川 Liu Yuewei;Yang Ruixia;Zhang Zhiguo;Wang Yongwei;Deng Xiaochuan

作者机构：河北工业大学电子信息工程学院天津300130 石家庄铁道大学电气与电子工程学院石家庄050043 北京国联万众半导体科技有限公司北京100300 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 电子科技大学电子科学与工程学院成都610054 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61774054) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2020年第45卷第9期

页      码：685-689,695页

摘      要：设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。

主 题 词：SiC MOSFET 场限环 击穿电压 阈值电压 高温反偏(HTRB) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.09.005

馆 藏 号：203968435...