低压MOSFET集成ESD保护结构的设计方法

作     者：方绍明 赵美英 FANG Shaoming;ZHAO Meiying

作者机构：深圳市明微电子股份有限公司广东518000 深圳方正微电子有限公司广东518000 

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2020年第37卷第9期

页      码：192-194页

摘      要：为了有效防止低压MOSFET在受到静电击穿而损坏产品,需要设计专门的静电保护二极管,并联在MOSFET的栅极和源极之间,以对栅氧化层进行保护。静电保护结构的设计规则尺寸、注入剂量和级联结构,都会影响保护效果。设计者需在弄清ESD保护工作机理后、根据产品静电等级需要,确定保护二极管的特性参数,并结合工艺可行性及成本等因素,设计出最合适的ESD保护结构。

主 题 词：集成电路制造 MOSFET 保护二极管 静电 人体模式 多晶硅 注入 栅源 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19339/j.issn.1674-2583.2020.09.091

馆 藏 号：203968664...