CFETR水冷陶瓷增殖剂包层中子学分析

作     者：李夏 马学斌 卢棚 郑俞 徐坤 刘松林 LI Xia;MA Xue-bin;LU Peng;ZHENG Yu;XU Kun;LIU Song-lin

作者机构：中国科学院等离子体物理研究所合肥230031 中国科学技术大学合肥230026 深圳大学深圳518060 

基　　金：国家重点研发计划(2017YFE0300503) 

出 版 物：《核聚变与等离子体物理》 (Nuclear Fusion and Plasma Physics)

年 卷 期：2020年第40卷第3期

页      码：275-282页

摘      要：基于中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷陶瓷增殖剂(WCCB)三维中子学模型,应用蒙特卡罗输运程序MCNP5和IAEA聚变评价核数据库FENDL2.1,完成了WCCB中子学性能分析。研究了在200MW、500MW、1.0GW、1.5GW聚变功率下中子壁载荷(NWL)、氚增殖率(TBR)、核热沉积以及包层材料的辐照损伤。结果显示,目前WCCB包层核分析结果满足CFETR设计要求。

主 题 词：CFETR 水冷包层 中子学计算 

学科分类：08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0827[工学-食品科学与工程类] 082701[082701] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 0801[工学-力学类] 

D　O　I：10.16568/j.0254-6086.202003013

馆 藏 号：203968845...