PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究

作     者：王喜媛 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071 

基　　金：模拟集成电路国家实验室基金资助项目(99JS09.3.1DZ0111) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2003年第20卷第6期

页      码：8-11,20页

摘      要：在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论。

主 题 词：PNP型SiGeHBT 电流增益 异质结晶体管 计算机模拟 锗组分 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-7180.2003.06.003

馆 藏 号：203972838...