基于InP双异质结双极型晶体管工艺的超宽带低相噪可编程分频器

作     者：张敏 孟桥 张有涛 张翼 李晓鹏 ZHANG Min;MENG Qiao;ZHANG You-tao;ZHANG Yi;LI Xiao-peng

作者机构：东南大学射频光电集成电路研究所南京210096 南京国博电子有限公司南京211153 中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京211153 

基　　金：国家自然科学基金(61804081) 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2020年第36卷第4期

页      码：21-24,32页

摘      要：实现了一款高性能超宽带低相噪可编程分频器芯片,内部分频模块采用电流模式逻辑结构的数字分频原理实现。芯片采用三路外部信号对内部分频模块及开关组进行选通、控制,实现1、2、4、8四种分频比的切换。对内部单元进行了设计优化以提高芯片宽频带内的整体性能。该芯片采用0.7μm InP DHBT工艺实现,测试结果显示在1~40 GHz超宽带范围内,其输入功率可覆盖-10^+8 dBm,高载波下相位噪声可低至-145 dBc/Hz,最大功耗0.63 W。该芯片拥有完整的电路架构,宽带工作性能优良且有较低的相位噪声,可直接应用于超宽带频率源系统。

主 题 词：分频器 磷化铟 可编程 超宽带 低相噪 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14183/j.cnki.1005-6122.202004004

馆 藏 号：203974462...