基于Innovus工具的28 nm DDR PHY物理设计方法

作     者：王秋实 张杰 孟少鹏 WANG Qiushi;ZHANG Jie;MENG Shaopeng

作者机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230088 

出 版 物：《雷达科学与技术》 (Radar Science and Technology)

年 卷 期：2020年第18卷第4期

页      码：457-460页

摘      要：随着CPU、DSP等器件的处理速度迅速提高,对内存的速度和各方面的需求迅速增加。早期的SDRAM工作频率发展到133 MHz已到极限,成为系统性能的瓶颈。DDR(双倍数据率)技术随之应运而生,目前DDR4的性能已经可以达到3200 Mbps级别。DDR PHY作为存储控制器和DRAM颗粒物理接口之间的通用接口,是制约DDR读写速度提升的关键。本文以TSMC 28 nm工艺的DDR PHY设计为例,结合Innovus工具,在描述流程之外,重点研究解决了后端物理设计中时序路径的时间预算、延时优化、路径对齐等问题。最后该DDR PHY在一款工业级DSP中成功集成,并且板级测试结果表明其物理设计结果达到指标要求。

主 题 词：DDR PHY 物理设计 Innovus 时间预算 延时优化 路径对齐 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-2337.2020.04.018

馆 藏 号：203976197...