高压RESURFLDMOST的开态电阻与关态电压

作     者：熊平 卢豫曾 

作者机构：电子科技大学微电子所 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：1995年第25卷第5期

页      码：23-29页

摘      要：降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ）原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ的优化设计作了深入的讨论。最后评价了高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。

主 题 词：LDMOST 高压器件 功率IC 降低表面电场 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203977855...