高速BiCMOS技术

作     者：赵巍 杨肇敏 徐葭生 

作者机构：清华大学微电子学研究所 

基　　金：中国自然科学基金 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1990年第18卷第6期

页      码：99-102页

摘      要：本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构,应用2μm设计规则,成功地将NPN器件和CMOS器件制作在同一芯片上。得到了满意的单管性能。在大负载条件下,BiCMOS反相器门的速度比普通CMOS反相器门快得多。

主 题 词：集成电路 CMOS工艺 Bipolar工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203978291...