基于H桥级联型静止无功发生器的分析和探讨

作     者：罗韶平 

作者机构：上海市政工程设计研究总院(集团)有限公司 

出 版 物：《电气时代》 (Electric Age)

年 卷 期：2020年第9期

页      码：58-61页

摘      要：介绍了H桥级联型静止无功发生器的主电路拓扑图及其基本工作原理,进一步对其控制原理和无功指令电流检测方法做了详细介绍,并对比了目前几种主流主电路的拓扑形式,分析了H桥级联型静止无功发生器的优缺点和应用前景。大功率半导体开关器件经历了晶闸管和GTO,发展到IGBT、IGCT等高性能复合器材。

主 题 词：静止无功发生器 晶闸管 指令电流检测 IGCT GTO 主电路拓扑 拓扑形式 控制原理 

学科分类：080802[080802] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

馆 藏 号：203978732...