溅射功率对磁控溅射法制备MgF2薄膜组织和性能的影响

作     者：赵长江 马超 刘俊成 刘治钢 陈燕 ZHAO Changjiang;MA Chao;LIU Juncheng;LIU Zhigang;CHEN Yan

作者机构：天津工业大学材料科学与工程学院天津300387 天津工业大学分离膜材料与膜过程国家重点实验室天津300387 北京空间飞行器总体设计部北京100086 

基　　金：National Natural Science Foundation of China(51352002) 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2020年第35卷第9期

页      码：1064-1070页

摘      要：为了减少磁控溅射法沉积MgF2薄膜的F贫乏缺陷,在工作气体Ar2中加入SF6作为反应气体,在石英玻璃衬底上用射频磁控溅射法制备了MgF2薄膜,研究了溅射功率对MgF2薄膜化学成分、微观结构和光学性能的影响。结果表明,随着溅射功率从115 W增加到220 W,F:Mg的原子比不断增加,185 W时达到2.02,最接近理想化学计量比2:1;薄膜的结晶度先提高后降低,最后转变为非晶态;MgF2薄膜的颗粒尺寸先是有所增加,轮廓也变得更加清晰,最后又变得模糊。MgF2薄膜的折射率先减小后增大,在185 W时获得最低值,550 nm波长的折射率1.384非常接近MgF2块体晶体;镀膜玻璃在300~1100 nm范围内的透光率(以下简称薄膜透光率)先增大后减小,185 W时达到94.99%,比玻璃基底的透光率高出1.79%。

主 题 词：MgF2薄膜 F贫乏 透光率 减反射 溅射功率 磁控溅射 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.15541/jim200190565

馆 藏 号：203978935...