高性能波导集成型锗/硅水平APD

作     者：高巍 刘道群 唐波 张鹏 李彬 杨妍 申人升 常玉春 李志华 Gao Wei;Liu Daoqun;Tang Bo;Zhang Peng;Li Bin;Yang Yan;Shen Rensheng;Chang Yuchun;Li Zhihua

作者机构：大连理工大学微电子学院辽宁大连116024 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家重点研发计划课题资助项目(2018YFB2200203) 国家自然科学基金资助项目(11975066) 北京市自然科学基金资助项目(4202079) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2020年第57卷第10期

页      码：765-770,786页

摘      要：相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离(SACM)的锗/硅雪崩光电二极管(APD),水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题。选用绝缘体上硅(SOI)晶圆片,基于0.18μm CMOS兼容工艺制备了一种高性能的波导集成水平锗/硅APD。对APD的器件参数进行了晶圆级测试,包括暗电流、光响应度以及带宽。测试结果表明,吸收区宽度为0.5μm、两侧间隔区宽度为0.8μm的器件在反偏电压-27.5 V下光响应度高达75.89 A/W,间隔区宽度为0.3μm时雪崩击穿电压低至-6.5 V,且可在0.9倍雪崩击穿电压附近测得3 dB带宽达20.06 GHz。

主 题 词：雪崩光电二极管(APD) 波导集成 选择性外延 锗/硅 光电探测器 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2020.10.001

馆 藏 号：203979077...