AlGaAs短波长超辐射集成光源

作     者：赵永生 孙中哲 李雪梅 宋俊峰 王之岭 姜秀英 杜国同 GregoryDevane KathleenA.Stair R.P.H.Chang 

作者机构：吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：1998年第18卷第6期

页      码：789-792页

摘      要：设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷＨＭ）为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。

主 题 词：超幅射器件 半导体光放大器 集成光源 铝镓砷 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203979201...