InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究

作     者：邓晖 陈弘达 梁琨 杜云 唐君 黄永箴 潘钟 马骁宇 吴荣汉 王启明 

作者机构：集成光电子学国家重点联合实验室 

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (698962 60 6978980 2 ) 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2001年第12卷第3期

页      码：222-224页

摘      要：本文分析计算了 In Ga As/ Ga As多量子阱 (SEED)的激子吸收行为 ,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析 ,用 MOCVD系统生长了多量子阱外延材料 ,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。

主 题 词：MOCVD 多量子阱 自量光效应 光电子器件 SEED 设计 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1005-0086.2001.03.002

馆 藏 号：203981447...