场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极异质结能带的计算

作     者：李晋闽 郭里辉 王存让 张工力 侯洵 

作者机构：中国科学院西安光学精密机械研究所 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：1992年第12卷第9期

页      码：830-834页

摘      要：采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指出了达到理想的异质结传输效率时,发射层的厚度和掺杂浓度、吸收层的掺杂浓度、异质结界面处渐变区宽度以及场助偏压应满足的条件.它有助于场助半导体光电阴极的结构设计和材料参数的选择.

主 题 词：异质结 半导体 光电阴极 能带 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203982883...