SiC MOSFET短路特性及过流保护研究

作     者：王占扩 童朝南 黄伟超 WANG Zhankuo;TONG Chaonan;HUANG Weichao

作者机构：北京科技大学自动化学院北京市海淀区100083 北京市电力节能关键技术协同创新中心(北方工业大学)北京市石景山区100144 

出 版 物：《中国电机工程学报》 (Proceedings of the CSEE)

年 卷 期：2020年第40卷第18期

页      码：5751-5759页

摘      要：为了提高电力电子装置中SiC MOSFET可靠性,对SiC MOSFET短路特性和过流保护进行研究。首先在不同的母线电压和环境温度下,对处于短路状态的SiC MOSFET的电流IDS和导通压降VDS(ON)进行测量和分析,在此基础上设计基于VDS(ON)检测的过流保护电路,比较两种消隐电路对保护的影响,实验证明,在消隐电路工作时,较大的充电电流可有效缩短保护时间,但电路功率消耗较大。针对半桥直通短路,根据SiC MOSFET的工作特性,提出一种基于门极电压VGS检测的直通短路保护方法,将半桥两只SiC MOSFET的VGS电压于门极阈值电压比较,如果同时超过阈值电压,可判断发生直通短路,实验表明,提出的保护方法具有保护时间快,短路电流小的特点,与VDS(ON)检测的过流保护电路配合,可以有效地保护SiC MOSFET。

主 题 词：SiC MOSFET 特性短路 过流保护 VDS(ON)检测 VGS检测 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13334/j.0258-8013.pcsee.200511

馆 藏 号：203985470...